Подробиці про платформу Qualcomm Snapdragon 830: 10-нм техпроцес FinFET і поставки на початку 2017 року - 31 Липня 2016 - DVI

DVI

Четвер, 23.03.2017, 12.27.58
Головна » 2016 » Липень » 31 » Подробиці про платформу Qualcomm Snapdragon 830: 10-нм техпроцес FinFET і поставки на початку 2017 року
13.47.50
Подробиці про платформу Qualcomm Snapdragon 830: 10-нм техпроцес FinFET і поставки на початку 2017 року

      Як ми знаємо, компанія MediaTek в даний час активно розробляє нову однокристальну систему MediaTek Helio X30 вищого рівня, яка складе конкуренцію новітнім SoC виробництва Samsung і Qualcomm. Остання ж, у свою чергу, працює не піднімаючи голови над власною флагманської SoC Snapdragon 830.

За останніми даними, SoC Snapdragon 830 буде вироблятися за нормами 10-нм і стане доступна виробникам смартфонів на початку наступного року. Офіційний анонс Snapdragon 830 очікується в кінці цього року, тоді як першим пристроєм з використанням даної SoC стане смартфон Galaxy S8.

Попередні чутки вказували на те, що Qualcomm Snapdragon 830 спроектований в розрахунку на виготовлення з використанням 10-нанометрового техпроцесу FinFET, використовує архітектуру Kyro 200, графіку Adreno 540 і модем Snapdragon X16 LTE шостого покоління з підтримкою швидкості передачі даних до 1 Гбіт/с. Можливості Snapdragon 830 включають здатність записувати відеоролики в дозволі 4Kх2K при 60 к/с і підтримку 8 ГБ оперативної пам'яті.

Джерело: gizmochina
Переглядів: 98 | Додав: dvi | Рейтинг: 0.0/0
Всього коментарів: 0
Ім'я *:
Email:
WWW:
Код *: