Сучасні твердотільні накопичувачі забезпечують високі швидкості в порівнянні з жорсткими дисками, але програють їм в ємності та вартості. Компанія Intel обіцяє усунути ці недоліки за допомогою нового типу флеш-пам’яті 3D Vertical NAND (3D V-NAND).

В рамках проведення заходу Investor Meeting 2014 було оголошено, що в другій половині 2015 спільне підприємство Intel і Micron – Intel Micron Flash Technologies (IMFT) – приступить до масового виробництва чіпів флеш-пам’яті 3D V-NAND ємністю 256 Гбіт (багаторівневі комірки, 2 біта даних на клітинку) і 384 Гбіт (трирівневі осередки, 3 біти даних на клітинку). Такі чіпи пам’яті отримають 32-шарову структуру, що включає вертикальні масиви осередків, які взаємопов’язані за допомогою 4 млрд з’єднань TSV (through silicon via).

Завдяки використанню нових флеш-чіпів виробники зможуть випускати SSD немислимої на сьогоднішній день ємності. За словами виконавчого віце-президента і головного управляючого підрозділу Intel по незалежній пам’яті Роба Крука (Rob Crooke), за допомогою чіпів 3D V-NAND в найближчі два роки вдасться створити SSD ємністю 10 ТБ і більше. Причому, такі накопичувачі будуть мати більш доступною ціною, ніж сучасні рішення високої ємності на базі твердотільної пам’яті.

Але така велика бочка меду не могла виявитись без ложки дьогтю. Справа в тому, що IMFT володіє обмеженими виробничими потужностями і може виготовляти лише 70 тис 300-міліметрових кремнієвих пластин на місяць. І цей ресурс використовується для виготовлення всіх типів пам’яті. Компанії Intel і Micron можуть надати ще 80 тис і 40 тис пластин на місяць, відповідно. Цього явно недостатньо для проведення революції в галузі. Для порівняння, Samsung може виробляти 100 тис 300-міліметрових кремнієвих пластин на місяць на фабриці, виділеної для випуску чіпів 3D V-NAND. Також Samsung може випускати флеш-чіпи 3D V-NAND і на інших фабриках загальною виробничою потужністю 400 тис пластин. Але Samsung обмежена в технологічному плані. Вона може виробляти 24- і 32-шарові чіпи 3D V-NAND ємністю 128 Гбіт за нормами 42-нанометрового технологічного процесу. Причому, з цих 128 Гбіт лише 86 Гбіт є видимими.